ABSTRAK Telah dilakukan sintesa silika doping aluminium (SiO2:Al) dengan metode sol gel sebagai salah satu material TLD. Penelitian ini bertujuan untuk melakukan sintesa material TLD dari bahan SiO2:Al dan menguji pengaruh dari konsentrasi doping Al terhadap struktur kristal, morfologi permukaan, dan sifat optik dari material tersebut. Konsentrasi Al divariasikan dari 0% mol, 0.1% mol, dan 2% mol. Hasil dari pencampuran dimasukkan ke dalam cetakan berbentuk cakram yang tebalnya 1 mm dan diameter 2 cm dan 8 mm. Sampel gel kering yang diperoleh selanjutnya di sintering pada suhu 350⁰Ϲ, 500⁰Ϲ, dan 830⁰Ϲ. Kemudian sampel SiO2:Al di karakterisasi dengan menggunakan XRD, SEM/EDS, dan spektrometer UV-Vis. Hasil penelitian menunjukkan bahwa struktur SiO2 yang berbentuk amorf, namun setelah didoping dengan Al2O3 strukturnya menjadi kristalbolik. Ukuran Kristal SiO2:Al terbesar adalah 9.24 nm. Morfologi permukaan SiO2:Al, dengan pendopingan Al yang dihasilkan homogen. Celah pita energi terkecil 2.86 eV untuk SiO2 yang didoping Al. Berdasarkan karakteristik dari bahan tersebut dapat disimpulkan bahwa, silika doping aluminium dapat digunakan sebagai TLD. Kata Kunci : SiO2:Al, Sol gel, struktur Kristal, ukuran Kristal, morfologi permukaan, celah pita optik.   ABSTRACT Synthesis of aluminum doped silica (SiO2:Al) as a TLD material using sol gel method have seen investigated. The aim of this study is to synthesize material of TLD SiO2:Al and examine the effects of Al doped concentration on the crystal structure, surface morphology, and optical properties of these materials. Concentration of Al was varied from 0% mol, 0.1% mol, and 2% mol. The results of the solution was poured into the disc-shape mould which its thickness of 1 mm and its diameter of 2 cm and 8 mm. The samples of dried gel were then sintering at the 350⁰Ϲ, 500⁰Ϲ, and 830⁰Ϲ. Then, the SiO2:Al samples were characterized by using XRD, SEM/EDX, and UV-Vis spectrometer. The results showed that the SiO2 sample has amorphous structure, but after doped with Al2O3 the structure become cristabolite. The greatest crystal size of SiO2:Al is 9.24 nm. The morphology of surface of SiO2:Al, homogeneous found for sample was Al2O3 doped. The smallest band gap energy 2.86 eV was doped Al for SiO2. These results can be concluded that this material have a good potential for TLD application. Keywords: SiO2:Al, Sol gel, crystal structure, crystal size, surface morphology, optical band gap.