ABSTRAK Telah dilakukan sintesa dan karakterisasi SiO2 dari abu sekam padi serta pembuatan lapisan tipis SiO2 melalui metode Sol-Gel. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui struktur kristal silika (SiO2) dari abu sekam padi dan untuk mengetahui pengaruh variasi temperatur annealing terhadap sifat optik lapisan tipis SiO2. Sintesa silika abu sekam padi dilakukan melalui metode ekstraksi alkali dan lapisan tipis dipreparasi dari bahan silika (SiO2) abu sekam padi dan dilarutkan dengan menggunakan ethanol. Larutan SiO2 diaduk dengan menggunakan magnetik stirrer selama 60 menit hingga terbentuk Sol. Sol larutan kemudian ditumbuhkan di atas substrat kaca melalui teknik dip Coating dengan kecepatan tarik + 3 cm/jam. Selanjutnya lapisan tipis SiO2 di-annealing dengan variasi temperatur 400 o C, 450 o C, 500 o C, 550 o C dan 600 o C dengan waktu tahan selama 60 menit. Silika (SiO 2) abu sekam padi dan lapisan tipis SiO 2 selanjutnya dikarakterisasi menggunakan XRD dan UV-Vis. Hasil karakterisasi silika (SiO2) abu sekam berdasarkan XRD menunjukkan bahwa silika (SiO2) abu sekam padi memiliki tingkat kristal dengan struktur amorf. Berdasarkan hasil karakterisasi UV.Vis diperoleh semakin tinggi temperatur annealing maka diperoleh nilai transmitansi yang semakin rendah dan koefesien absorp yang semakin tinggi. Band gap optik lapisan tipis SiO2 diperoleh berkisar antara 3,57 eV- 3,68 eV. Kata kunci: Lapisan Tipis SiO2 abu sekam padi, waktu annealing, struktur kristal, transmitansi, Koefesien absopsi, Band gap optik. vi ABSTRACT The synthesis has performed and characterization thin film of SiO2 from rice husk ash as well as the manufacture thin film of SiO2 by Sol-Gel method. This study aims to determine the crystal structure of silica (SiO 2) from rice husk ash and to determine the influence of annealing temperature variations of the optical properties thin film of SiO2 . Synthesis silica rice husk ash made through alkali extraction method and a thin film of material prepared silica (SiO2) rice husk ash and dissolved using ethanol. SiO 2 solution was stirred by using a magnetic stirrer for 60 minutes to form Sol. Sol solution then grown on a glass substrate by dip coating techniques with the speed of drag + 3 cm/hour. Furthermore, a thin film of SiO2 annealing with variations in temperature of 400 °C, 450 °C, 500 °C, 550 °C and 600 °C with a hold time of 60 minutes. Silica (SiO2) rice husk ash and a thin film of SiO2 further characterized using XRD and UV-Vis. Results of characterization of silica (SiO 2) husk ash by XRD showed that the silica (SiO 2) husk ash has a level of crystals with amorphous structure. Based on the results obtained UV.Vis characterization of the higher temperature annealing of the obtained transmittance values are lower and the higher the coefficient absorp. Optical band gap thin film of SiO2 obtained ranged from 3.57 to 3.68 eV. Keywords: Thin film SiO2 rice husk ash , annealing time , the crystal structure , transmittance , the absorption coefficient , the optical band gap .